Ηλεκτροοπτικός διαμορφωτής Rof 780nm LiNbO3 Διαμορφωτής έντασης 10G
Χαρακτηριστικό
* Χαμηλή απώλεια εισαγωγής
* Υψηλό εύρος ζώνης
* Χαμηλή τάση ημικύματος
* Επιλογή προσαρμογής
Εφαρμογή
⚫ Συστήματα ROF
⚫ Κατανομή κβαντικού κλειδιού
⚫ Συστήματα ανίχνευσης λέιζερ
⚫ Διαμόρφωση πλευρικής ζώνης
| Ροφ-Σειρά AM | Ροφ-ΠΜ-07 | Ροφ-ΠΜ-08 | Ροφ-ΠΜ-10 | Ροφ-ΠΜ-13 | Ροφ-ΠΜ-15 | |||
| Λειτουργούν μήκος κύματος | 780nm | 850nm | 1064nm | 1310nm | 1550nm | |||
| Εύρος ζώνης | 10GHz | 10GHz | 10/20GHz | 2,5 GHz | 50GHz | 10GHz | 20GHz | 40GHz |
| Απώλεια εισαγωγής | <5dB | <5dB | ＜5dB | ＜5dB | ＜4dB | |||
| Λόγος εξαφάνισης @DC | >20dB | >20dB | >20dB | >20dB | >20dB | |||
| VΠ @RF (1KHz) | <3V | <3V | <4V | <3,5V | ＜6V | <5V | ||
| VΠ @Προκατάληψη | ＜3.5V | ＜3.5V | <5V | <5V | <8V | <7V | ||
Πληροφορίες παραγγελίας
| Ροφ | AM | XX | XXG | XX | XX | XX |
| Τύπος: AM---Διαμορφωτής έντασης | Μήκος κύματος: 07---780nm 10---1060nm 13---1310nm 15---1550nm | Εύρος ζώνης: 10GHz 20GHz 40GHz 50GHz
| Παρακολούθηση PD: PD---Με PD | Τύπος οπτικής ίνας εισόδου-εξόδου: PP---PM/PM | Οπτική υποδοχή: FA---FC/APCFP---FC/PC SP---Προσαρμογή |
R-AM-07-10G
Μήκος κύματος 710nm 10GHz Διαμορφωτής έντασης
| Παράμετρος | Σύμβολο | Ελάχ | Τυπ | Μαξ | Μονάδα | ||||
| Οπτικές παράμετροι | |||||||||
| Λειτουργούν μήκος κύματος | l | 760 | 780 | 800 | nm | ||||
| Απώλεια εισαγωγής | IL | 4.5 | 5 | dB | |||||
| Οπτική απώλεια επιστροφής | ΩΡΛ | -45 | dB | ||||||
| Λόγος απόσβεσης διακόπτη @DC | ER@DC | 20 | 23 | dB | |||||
| Οπτική ίνα | Εισαγωγήλιμάνι | PM780ίνα (125/250μm) | |||||||
| θύρα εξόδου | PM780ίνα (125/250μm) | ||||||||
| Διεπαφή οπτικών ινών | FC/PC、FC/APC ή προσαρμογή | ||||||||
| Ηλεκτρικές παράμετροι | |||||||||
| Λειτουργικό εύρος ζώνης（-3dB) | S21 | 10 | 12 | GHz | |||||
| Τάση ημικύματος Vpi | RF | @1KHz |
| 2.5 | 3 | V | |||
| Προκατάληψη | @1KHz |
| 3 | 4 | V | ||||
| Ηλεκτρική απώλεια επιστροφής | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| Σύνθετη αντίσταση εισόδου | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| Προκατάληψη | ZΠΡΟΚΑΤΑΛΗΨΗ | 1M | W | ||||||
| Ηλεκτρική διεπαφή | SMA(f) | ||||||||
Οριακές Συνθήκες
| Παράμετρος | Σύμβολο | Μονάδα | Ελάχ | Τυπ | Μαξ |
| Οπτική ισχύς εισόδου | Pστο,Μαξ | dBm | 20 | ||
| Ισχύς εισόδου RF | dBm | 28 | |||
| τάση πόλωσης | Vbias | V | -15 | 15 | |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | Κορυφή | ℃ | -10 | 60 | |
| Θερμοκρασία αποθήκευσης | Δοκιμή | ℃ | -40 | 85 | |
| Υγρασία | RH | % | 5 | 90 |
Καμπύλη S21
Καμπύλη &S11
Καμπύλες S21 και s11
Μηχανικό Διάγραμμα
| ΛΙΜΑΝΙ | Σύμβολο | Σημείωμα |
| Σε | Οπτική θύρα εισόδου | Ίνες PM (125μm/250μm) |
| Εξω | Οπτική θύρα εξόδου | Επιλογή PM και SMF |
| RF | Θύρα εισόδου RF | SMA(f) |
| Προκατάληψη | Θύρα ελέγχου πόλωσης | 1,2 Bias, 34-N/C |
Η Rofea Optoelectronics προσφέρει μια σειρά προϊόντων από εμπορικούς ηλεκτροοπτικούς διαμορφωτές, διαμορφωτές φάσης, διαμορφωτές έντασης, φωτοανιχνευτές, πηγές φωτός λέιζερ, λέιζερ DFB, οπτικούς ενισχυτές, EDFA, λέιζερ SLD, διαμόρφωση QPSK, παλμικό λέιζερ, ανιχνευτή φωτός, ισορροπημένο φωτοανιχνευτή, οδηγό λέιζερ, ενισχυτή οπτικών ινών, οπτικό μετρητή ισχύος, λέιζερ ευρείας ζώνης, συντονιζόμενο λέιζερ, οπτικό ανιχνευτή, οδηγό διόδου λέιζερ, ενισχυτή οπτικών ινών. Παρέχουμε επίσης πολλούς συγκεκριμένους διαμορφωτές για προσαρμογή, όπως διαμορφωτές φάσης συστοιχίας 1*4, διαμορφωτές εξαιρετικά χαμηλού Vpi και διαμορφωτές εξαιρετικά υψηλού λόγου απόσβεσης, που χρησιμοποιούνται κυρίως σε πανεπιστήμια και ινστιτούτα.
Ελπίζουμε τα προϊόντα μας να σας φανούν χρήσιμα και να σας βοηθήσουν στην έρευνά σας.