Rof Electro-optic modulator 780nm LiNbO3 Intensity Modulator 10G
Χαρακτηριστικό
* Χαμηλή απώλεια εισαγωγής
* Υψηλό εύρος ζώνης
* Χαμηλή τάση μισού κύματος
* Επιλογή προσαρμογής
Εφαρμογή
⚫ Συστήματα ROF
⚫ Κατανομή κβαντικού κλειδιού
⚫ Συστήματα ανίχνευσης λέιζερ
⚫ Διαμόρφωση πλευρικής ζώνης
| Ροφ-Σειρά AM | Ροφ-ΠΜ-07 | Ροφ-ΠΜ-08 | Ροφ-ΠΜ-10 | Ροφ-ΠΜ-13 | Ροφ-ΠΜ-15 | |||
| Μήκος κύματος λειτουργίας | 780 nm | 850 nm | 1064 nm | 1310 nm | 1550 nm | |||
| Εύρος ζώνης | 10 GHz | 10 GHz | 10/20GHz | 2,5 GHz | 50GHz | 10 GHz | 20 GHz | 40 GHz |
| Απώλεια εισαγωγής | ＜5dB | ＜5dB | ＜5dB | ＜5dB | ＜4dB | |||
| Αναλογία εξαφάνισης @DC | ＞20dB | ＞20dB | ＞20dB | ＞20dB | ＞20dB | |||
| VΠ @RF (1KHz) | ＜3V | ＜3V | ＜4V | <3,5V | ＜6V | <5V | ||
| VΠ @Προκατάληψη | ＜3.5V | ＜3.5V | ＜5V | <5V | <8V | <7V | ||
Πληροφορίες Παραγγελίας
| Ροφ | AM | XX | XXG | XX | XX | XX |
| Τύπος: AM---Διαμορφωτής έντασης | Μήκος κύματος: 07---780nm 10---1060nm 13---1310nm 15---1550nm | Εύρος ζώνης: 10 GHz 20 GHz 40 GHz 50 GHz
| Παρακολούθηση PD: ΠΔ---Με Π.Δ | Τύπος ινών εισόδου: PP---PM/PM | Οπτική υποδοχή: FA---FC/APCFP---FC/PC SP---Προσαρμογή |
R-AM-07-10G
Μήκος κύματος 710nm 10GHz διαμορφωτής έντασης
| Παράμετρος | Σύμβολο | Ελάχ | Τυπ | Μέγ | Μονάδα | ||||
| Οπτικές παράμετροι | |||||||||
| Μήκος κύματος λειτουργίας | l | 760 | 780 | 800 | nm | ||||
| Απώλεια εισαγωγής | IL | 4.5 | 5 | dB | |||||
| Απώλεια οπτικής επιστροφής | ORL | -45 | dB | ||||||
| Αναλογία κατάσβεσης διακόπτη @DC | ER@DC | 20 | 23 | dB | |||||
| Οπτική ίνα | Εισαγωγήλιμάνι | PM780ίνα (125/250μm) | |||||||
| θύρα εξόδου | PM780ίνα (125/250μm) | ||||||||
| Διεπαφή οπτικών ινών | FC/PC, FC/APC Ή Προσαρμογή | ||||||||
| Ηλεκτρικές παράμετροι | |||||||||
| Λειτουργικό εύρος ζώνης(-3dB) | S21 | 10 | 12 | GHz | |||||
| Τάση μισού κύματος Vpi | RF | @1KHz |
| 2.5 | 3 | V | |||
| Προκατάληψη | @1KHz |
| 3 | 4 | V | ||||
| Ηλεκτρική απώλεια επιστροφής | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| Αντίσταση εισόδου | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| Προκατάληψη | ZΠΡΟΚΑΤΑΛΗΨΗ | 1M | W | ||||||
| Ηλεκτρική διεπαφή | SMA(f) | ||||||||
Όριοι όροι
| Παράμετρος | Σύμβολο | Μονάδα | Ελάχ | Τυπ | Μέγ |
| Οπτική ισχύς εισόδου | Pμέσα, Max | dBm | 20 | ||
| Ισχύς RF εισόδου | dBm | 28 | |||
| τάση πόλωσης | Vbias | V | -15 | 15 | |
| Θερμοκρασία λειτουργίας | Κορυφή | ℃ | -10 | 60 | |
| Θερμοκρασία αποθήκευσης | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
| Υγρασία | RH | % | 5 | 90 |
Καμπύλη S21
&S11 Καμπύλη
Καμπύλες S21&s11
Μηχανικό διάγραμμα
| ΛΙΜΑΝΙ | Σύμβολο | Σημείωμα |
| Σε | Θύρα οπτικής εισόδου | Ίνα PM (125μm/250μm) |
| Εξω | Θύρα οπτικής εξόδου | Επιλογή PM και SMF |
| RF | Θύρα εισόδου RF | SMA(f) |
| Προκατάληψη | Θύρα ελέγχου μεροληψίας | 1,2 Προκατάληψη, 34-N/C |
Η Rofea Optoelectronics προσφέρει μια σειρά προϊόντων εμπορικών ηλεκτροοπτικών διαμορφωτών, διαμορφωτές φάσης, διαμορφωτή έντασης, φωτοανιχνευτές, πηγές φωτός λέιζερ, λέιζερ DFB, οπτικούς ενισχυτές, EDFA, λέιζερ SLD, διαμόρφωση QPSK, παλμικό λέιζερ, ανιχνευτής φωτός, ισορροπημένο πρόγραμμα οδήγησης λέιζερ , Ενισχυτής οπτικών ινών, Μετρητής οπτικής ισχύος, Ευρυζωνικό λέιζερ, Συντονιζόμενο λέιζερ, Οπτικός ανιχνευτής, Πρόγραμμα οδήγησης διόδου λέιζερ, Ενισχυτής ινών. Παρέχουμε επίσης πολλούς συγκεκριμένους διαμορφωτές για προσαρμογή, όπως διαμορφωτές φάσης συστοιχίας 1*4, διαμορφωτές εξαιρετικά χαμηλού Vpi και εξαιρετικά υψηλού λόγου εξάλειψης, που χρησιμοποιούνται κυρίως σε πανεπιστήμια και ινστιτούτα.
Ελπίζουμε τα προϊόντα μας να είναι χρήσιμα για εσάς και την έρευνά σας.