Rof EOM 1550nm Intensity Modulator 2,5G διαμορφωτής νιοβάτη λιθίου λεπτής μεμβράνης
Χαρακτηριστικό
* Χαμηλή απώλεια εισαγωγής
* Υψηλό εύρος ζώνης
* Χαμηλή τάση μισού κύματος
* Επιλογή προσαρμογής
Εφαρμογή
⚫ Συστήματα ROF
⚫ Κατανομή κβαντικού κλειδιού
⚫ Συστήματα ανίχνευσης λέιζερ
⚫ Διαμόρφωση πλευρικής ζώνης
Μήκος κύματος
⚫750nm
⚫850nm
⚫ 1064nm
⚫ 1310nm
⚫ 1550nm
Εύρος ζώνης
⚫ 10 GHz
⚫ 20 GHz
⚫ 40 GHz
⚫ 50 GHz
R-AM-15-2,5G
| Παράμετρος | Σύμβολο | Ελάχ | Τυπ | Μέγ | Μονάδα | ||||
| Οπτικές παράμετροι | |||||||||
| Λειτουργικόςμήκος κύματος | l | 1530 | 1550 | 1565 | nm | ||||
| Απώλεια εισαγωγής | IL | 4 | 5 | dB | |||||
| Απώλεια οπτικής επιστροφής | ORL | -45 | dB | ||||||
| Αναλογία κατάσβεσης διακόπτη @DC | ER@DC | 20 | 23 | 45 | dB | ||||
| Δυναμική αναλογία εξαφάνισης | DER | 13 | dB | ||||||
| Οπτική ίνα | Εισαγωγήλιμάνι | Panda PM Fujikura SM | |||||||
| παραγωγήλιμάνι | Panda PM Fujikura SM | ||||||||
| Διεπαφή οπτικών ινών | FC/PC, FC/APC Ή ο χρήστης για να καθορίσετε | ||||||||
| Ηλεκτρικές παράμετροι | |||||||||
| Λειτουργικόςεύρος ζώνης(-3dB) | S21 | 2.5 | 3 | GHz | |||||
| Τάση μισού κύματος Vpi | RF | @50KHz |
| 4.5 | 5 | V | |||
| Bιας | @Προκατάληψη |
| 6 | 7 | V | ||||
| Ηλεκτρικόςalαπώλεια επιστροφής | S11 | -12 | -10 | dB | |||||
| Αντίσταση εισόδου | RF | ZRF | 50 | W | |||||
| Προκατάληψη | ZΠΡΟΚΑΤΑΛΗΨΗ | 1M | W | ||||||
| Ηλεκτρική διεπαφή | SMA(f) | ||||||||
Όριοι όροι
| Παράμετρος | Σύμβολο | Μονάδα | Ελάχ | Τυπ | Μέγ |
| Οπτική ισχύς εισόδου | Pμέσα, Μέγ | dBm | 20 | ||
| Input Ισχύς RF | dBm | 28 | |||
| τάση πόλωσης | Vbias | V | -15 | 15 | |
| Λειτουργικόςθερμοκρασία | Κορυφή | ℃ | -10 | 60 | |
| Θερμοκρασία αποθήκευσης | Tst | ℃ | -40 | 85 | |
| Υγρασία | RH | % | 5 | 90 |
Καμπύλη S21
&S11 Καμπύλη
Καμπύλες S21&s11
Μηχανικό διάγραμμα
| ΛΙΜΑΝΙ | Σύμβολο | Σημείωμα |
| Σε | Oοπτική θύρα εισόδου | Ίνα PM (125μm/250μm) |
| Εξω | Oοπτική θύρα εξόδου | PM Ινα(125μm/250μm) |
| RF | RΘύρα εισόδου F | SMA(f)/ K(f) / V(f) |
| Προκατάληψη | Θύρα ελέγχου μεροληψίας | 1,2 Μεροληψία, 3-Κάθοδος PD, άνοδος 4-PD |
Η Rofea Optoelectronics προσφέρει μια σειρά προϊόντων εμπορικών ηλεκτροοπτικών διαμορφωτών, διαμορφωτές φάσης, διαμορφωτή έντασης, φωτοανιχνευτές, πηγές φωτός λέιζερ, λέιζερ DFB, οπτικούς ενισχυτές, EDFA, λέιζερ SLD, διαμόρφωση QPSK, παλμικό λέιζερ, ανιχνευτής φωτός, ισορροπημένο πρόγραμμα οδήγησης λέιζερ , Ενισχυτής οπτικών ινών, Οπτική ισχύς μετρητής, Ευρυζωνικό λέιζερ, Συντονιζόμενο λέιζερ, Οπτικός ανιχνευτής, Πρόγραμμα οδήγησης διόδου λέιζερ, Ενισχυτής ινών. Παρέχουμε επίσης πολλούς συγκεκριμένους διαμορφωτές για προσαρμογή, όπως διαμορφωτές φάσης συστοιχίας 1*4, διαμορφωτές εξαιρετικά χαμηλού Vpi και εξαιρετικά υψηλού λόγου εξάλειψης, που χρησιμοποιούνται κυρίως σε πανεπιστήμια και ινστιτούτα.
Ελπίζουμε τα προϊόντα μας να είναι χρήσιμα για εσάς και την έρευνά σας.
